真空电子与专用金属材料、陶瓷-金属封接第十二届技术研讨会？ 傲世皇朝电脑挂机下载！为了进一步提高藕合腔行波管(CCTWT)的电子效率，需要可以计算CCTWT的大信号程序。本文阐述了利用程序CCTaper计算CCTWT腔长渐变对电子效率的影响情况。

　　本研究采用金相、扫描电镜、能谱等分析手段，对陶瓷-金属封接的严重缺陷--瓷件“光板”的产生原因进行了分析、探讨，并提出防止光板缺陷的措施。结果表明：焊料向金属化层的严重渗透以及金属化层玻璃相的缺少，均是导致光板的主要原因。通过改进金属化工艺，保证致密的金属化层显微结构，防止焊料渗透，可以避免光板缺陷。

　　本文对干压坯体烧结中常见的瓷件开裂、阴斑、机械性能下降等问题结合实践进行了分析，指出了千压坯体不同于热压铸坯体的烧结特点，并给出了具体的烧结曲线建议。

　　同轴磁控管的频率稳定度越来越受到雷达整机的重视，影响同轴磁控管频率稳定度的因素有多方面的原因，频率热漂移是其中最主要的原因之一。同轴磁控管频率热漂移主要是由其同轴腔决定。本文应用ANSYS对同轴磁控管频率热漂移进行模拟分析，对不同环境温度下同轴谐振腔的电磁场、热场以及结构应力进行了模拟仿真分析。根据分析结果选择和优化结构零部件材料，在模拟仿真达到设计参数要求的基础上进行装管验证，能够缩短产品研制开发时间。减小同轴磁控管的频率温度系数，提升工作频率稳定性。

　　本文阐述了陶瓷金羼化技术的沿革和Mo粉在金属化组分中的重要性，介绍了目前Mo粉存在的主要问题和改进建议，对本行业Mo粉的几种测试方法进行了比较。

　　4J33可伐材料也称铁-镍-钴合金，由于其具有与无氧铜、陶瓷材料等相近的热膨胀系数，并具有良好的真空钎焊性能，故在真空灭弧室的结构设计中多被采用，但在用银铜焊料对可伐材料进行钎焊封接时经常会发生无法修补的可伐开裂现象，直接给应用者造成损失。本研究针对这一现象做了一系列的试验，并结合相关的理论知识对此现象进行了详细的分析，从结构设计与工艺控制角度来探寻适宜可行的解决方法。

　　本文用两种不同颗粒度分布的Al2O3陶瓷粉体进行颗粒级配来制备多孔Al2O3陶瓷。通过分析测试多孔瓷的吸水率、孔径大小及分布、孔洞的形貌等技术指标，研究粉体颗粒级配对多孔Al2O3陶瓷性能的影响。

　　本文介绍了螺旋线行波管螺旋线的两种夹持方法：金属管壳三角变形夹持法和绑扎金属管壳热膨胀夹持法，并对两种方法的优缺点进行了比较。

　　本文采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验，并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析，探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现，镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95％氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时，Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移，固溶于瓷中，与镁铝尖晶石形成Mn：Mg Al2O4尖晶石相；同时，Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相，填充于Mo海绵骨架中。

　　周增林;高陇桥;惠志林;李艳;林晨光;李景勋;张美玲;光伟;黄浩;吴春荣

　　本研究分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉，并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成，金属化膏层的表面状态，金属化层及界面组织，金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明，新工艺处理钼粉的松装密度明显提高，氧含量增幄明显减小，且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示，含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高，金属化膏层表面光亮细腻，金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明，含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35％，拉伸后出现断瓷现象；这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。

　　本文通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后，分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接。随着热处理温度的提高，发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变。综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃。

　　本文通过对氧化铝陶瓷烧结机理、配方体系、原料加工、添加剂等影响烧结温度的素因分析，探讨了氧化铝陶瓷低温烧结技术。

　　本文介绍了一种绝缘导热瓷件的结构设计，从材料的选择、绝缘距离的考虑等方面进行了考虑，给出了设计结果及实际应用情况。

　　裁化铝陶瓷的成型方法有热压铸、等静压、千压、挤压成型等方法，其中，热压铸成型是应用广泛的成型方法。本文主要介绍了热压铸成型工艺中的几种缺陷，结合工艺过程，分析了产生缺陷的原因，并提出了相应的改进措施。

　　微波衰减材料是指在微波电真空器件中所使用的一种满足特殊要求的微波吸收材料。它的本质就是在介质内部，通过极化这种物理机制将微波能转化为热能并经由材料本身将热能交换到外界环境中。在许多微波电真空器件中，它是一种不可或缺的关键材料。而正是这些材料的出现，才使得微波电真空器件得到了广泛的应用。对于提供衰减的器件而言，除了要求材料具有良好的衰减性能和热传导性能外，对材料其它方面的要求也同样重要。首先，为保证器件能够正常工作而不受环境的制约，材料应该具备耐腐蚀、耐高温等特性，即具备一定的稳定性。其次，为使器件在移动和使用过程中不易因一些外界的不利因素而被损坏，材料还应该具有一定的机械强度。随着大功率真空电子器件向小型化集成化的方向发展，在技术上对散热问题也提出了更高的要求，即要想保证行波管等电子器件能够稳定而正常的工作，微波衰减材料必须具有足够高的热导率，以使电磁波被介质最大程度吸收后转化而成的热能能够迅速的交换到外界环境中。本文介绍了衰减材料的基本原理，国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状。

　　本文介绍了一种X波段宽带大功率多注速调管。该速调管工作于TMm高次模式，采用四组28个电子注栅控电子枪结构，为保证整管的输出带宽及增益采用多腔参差调谐结构高频段及多级滤波器输能系统，为实现满工作比7％工作采用电磁线包聚焦。测试结果其输出带宽达到300MHz，峰值输出功率达到100kW，平均输出功率达到7kW。

　　本文对氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行了研究，对比了涂TiH2后用Ag-Cu焊接和直接用Ti-Ag-Cu合金箔焊接两种方法的焊接界面的微观结构。

　　本文对焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响进行了分析与探讨。发现：用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷/可伐时，因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层，所以平均封接强度只有80MPa；用AgCu、PdAgCu焊料焊接陶瓷/可伐时，封接件的断裂模式为Mo-Mo分层或Mo-Ni分层，平均封接强度在100MPa左右；用Ag、Cu焊料焊接陶瓷/可伐时，封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断，平均封接强度达150MPa。用AgCu、PdAgCu、AuCu焊料焊接陶瓷/无氧铜时，因为封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断，所以平均封接强度在150MPa左右，比用同种焊料焊接陶瓷/可伐时最高提高了80％。